ZnO ALD films were grown directly o

ZnO ALD films were grown directly on graphene powders using a rotary ALD reactor. For the ZnO ALD, diethyl Zinc(ZnCH2CH3)2) and high performance liquid chromatography (HPLC) grade H2O were obtained from Sigma-Aldrich. The typical growth rate for the ZnO ALD chemistry is 2 per cycle. ZnO ALD is performed using alternating Zn(CH2CH3)2 and H2O exposures:

結果 (中文) 1:

直接使用一个旋转的 ALD 反应堆的石墨烯粉末被生长 ZnO ALD 薄膜。为氧化锌醛固酮、 二酸二乙酯 Zinc(ZnCH2CH3)2) 和高性能液相色谱法 (HPLC) 级 H2O 从获得西格玛。典型的增幅将为氧化锌 ALD 化学是在每个周期 2。使用交替的锌 (CH2CH3) 执行 ZnO ALD 2 和 H2O 暴露：

結果 (中文) 2:

使用旋转ALD反应器氧化锌ALD薄膜直接生长在石墨烯粉体。为ZnO的ALD，二乙基锌（ZnCH2CH3）2）和高效液相色谱（HPLC）级H 2 O购自Sigma-Aldrich获得。典型的增长率氧化锌ALD化学是每个周期？2。使用交替的Zn（CH 2 CH 3）2和H 2 O暴露被执行的ZnO ALD：

結果 (中文) 3:

对石墨粉末使用旋转ALD反应器直接生长ZnO ALD薄膜。对氧化锌ALD，二乙基锌（znch2ch3）2）和高效液相色谱法（HPLC）从西格玛奥德里奇得到级水。对氧化锌ALD化学典型的增长率是每周期2。氧化锌ALD是交替使用的Zn（CH 2 CH 3）2和H2O进行曝光：