NiO film grown on Si(100) through R

NiO film grown on Si(100) through RF magnetron sputtering at RT and at 100 °C shows (200) orientation, however, the structural quality of NiO is deteriorated by increasing the substrate temperature above100 °C.The deterioration of structural quality of the NiO film at higher substrate temperature is attributed to the decomposition of NiO film.The surface morphology shows a change in the granular structure above 100 °C. The Ni atomic percentage in the film increases by increasing the substrate temperature. The optical characterization revealed a small decrease in energy band gap by increasing the substrate temperature.

結果 (繁體中文) 1:

通過RF磁控管在室溫和在100℃下顯示濺射生長在Si（100）NiO膜（200）取向，然而，氧化鎳的結構質量通過升高襯底溫度above100℃下劣化。
在較高基片溫度的NiO膜的結構質量的惡化是由於NiO膜的分解。
表面形態示出了在100℃以上的粒狀結構的變化。在膜中的鎳原子百分比，通過增加襯底溫度增加。光學表徵通過增加襯底溫度揭示了能帶隙小的下降。

結果 (繁體中文) 2:

在Si（100）上生長的NiO薄膜通過RF磁控濺射在RT和100°C顯示（200）方向，然而，通過將基板溫度升高超過100°C，NiO的結構品質惡化。
在較高的基板溫度下，NiO薄膜的結構品質下降是由於NiO膜的分解。
表面形態顯示100°C以上的粒狀結構變化。薄膜中的Ni原子百分比通過增加基板溫度而增加。光學特性表明，通過增加基板溫度，能量帶間隙略有下降。

結果 (繁體中文) 3:

在Si（100）上通過射頻磁控濺射在室溫和100℃下生長的NiO薄膜具有（200）取向，但襯底溫度升高到100℃以上，NiO薄膜的結構質量下降。
襯底溫度越高，NiO薄膜的結構質量越差，其原因是NiO薄膜的分解。
在100℃以上，薄膜的表面形貌發生了變化，隨著襯底溫度的升高，薄膜中Ni原子的含量新增。光學特性表明，隨著襯底溫度的升高，能帶隙减小。