The FSS arrays are arranged on an F

The FSS arrays are arranged on an FR4 substrate, with a
relative permittivity (er) of 404, a loss tangent of 0.025 and a
thickness H of 1.6 mm. The unit element's total length
(parameter L) is 7mmx7mm in (x, y) directions. The width of
metallic fractal lines (parameter w) is 0.2mm, and the gap
width between metallic fractal lines (parameter d) is also
O.2mm. Other parameters of structure are defmed as follows:
the total length of metallic structure W=6.8mm, the gap width
between the metallic structure D)=Dz=Oo4mm. The simulations
results of the proposed FSS are performed as fig.2 by using
CST Microwave Solver. Tn general, the simulations ofFSSs are
executed under the assumption that they are infinite, although
they have finite dimensions in practical implementations. Thus,
the unit cell boundary conditions are applied on the four sides
of the unit cell of the (x, y) plane when the proposed FSS
structure was simulated in CST simulations. On the fig.2, the
characteristics of transmission and reflection coefficients are
presented.

結果 (繁體中文) 1:

FSS 陣列排列于 FR4 基板上與相對介電常數 (er) 的 404、 損耗角正切，0.025 和厚度 H 為 1.6 m m。單元元素的總長度（參數 L） 是在 7mmx7mm (x，y) 方向。寬度金屬分形線 (參數 w) 是 0.2 m m，且差距金屬分形線 (參數 d) 之間的寬度也是O.2mm.其他結構參數剖面圖，如下所示︰總長度的金屬結構 W = 6.8 毫米，間隙寬度之間的金屬結構 D） = Dz = Oo4mm。類比通過使用圖 2 作為執行擬議 FSS 結果CST 微波規劃求解。一般的 Tn，類比 ofFSSs 是執行根據假設他們是無限的雖然他們在實際的實現中有有限尺寸。因此，單位儲存格邊界條件的應用上的四個側面單元的 （x，y） 平面時建議的 FSS在 CST 模擬結構進行了數值類比。在圖 2，傳輸和反射係數的特徵是提出了一種。

結果 (繁體中文) 2:

在FSS陣列佈置的FR4基板上，用
404相對介電常數（ER），0.025的損耗角正切和一個
為1.6毫米厚度H. 單位元件的總長度
（參數L）是在（X，Y）的方向7mmx7mm。的寬度
的金屬形線（參數w）的為0.2mm，間隙
的金屬形線（參數d）為也之間寬度
O.2mm。結構的其它參數defmed如下：
金屬結構W =6.8毫米，間隙寬度的總長度
的金屬組織D之）= DZ = Oo4mm。仿真
採用圖2為執行所提出的FSS結果
CST微波求解。TN一般，ofFSSs被模擬
的假設下執行它們是無限的，但
它們在實際實現有限的尺寸。從而，
單元電池邊界條件上的四個邊施加
第（x，y）平面的單元電池的所提出的FSS時
結構在CST模擬進行了模擬。在圖2中，
透射和反射係數的特性
呈現。

結果 (繁體中文) 3:

FSS陣列排列的FR4基板上，用相對介電常數（二）為404，損耗角為0.025和1.6毫米的厚度H。組織元素的總長度（參數）是在（x，y）7mmx7mm方向。寬度分形線（參數）為0.2mm，且差距金屬分形線（參數D）之間的寬度也o.2mm。其他結構參數定義如下：金屬結構6.8mm W =總長度、間隙寬度金屬結構D之間）= = oo4mm DZ。類比擬議FSS的結果如圖2所示採用CST微波法。TN一般，類比offsss是執行的假設下，他們是無限的，雖然在實際實現中，他們有有限的尺寸。囙此，的組織細胞的邊界條件被施加在四個方面對單元（x，y）面時，該結構CST模擬模擬結構。在圖2中，該透射和反射係數的特徵是提出了.