The performance of this class-E amp

The performance of this class-E amplifier is first measured under the initially designed conditions. The drain dc supply voltage is 15 V; the gate dc bias voltage is selected to be 3.3 V, which is just above the turn-on threshold of the transistor. In the measurements, this amplifier offers an output power of 36.2 dBm (4.17 W), drain efficiency of 83.6%, PAE of 82.6%, and 19.2-dB gain at an input power level of 17 dBm. The measured and simulated results of the output power, drain efficiency and gain of this amplifier as a function of input power are shown in Fig. 8. The results show that the measured and simulated results match well under the same conditions.

結果 (中文) 1:

这类-E amplifier 的性能是在最初的设计条件下测量第一批。排水直流电源电压是 15 V;门直流偏置电压选为 3.3 V，就在上面的晶体管的导通阈值。在测量中，这 amplifier 提供了 36.2 dBm (4.17 W） 输出功率，排水工件的 82.6%和 19.2 分贝增益输入的功率级别的 17 dBm PAE 83.6%。实测和模拟结果的输出功率，排水工件和图 8 所示的这个 amplifier 作为函数的输入功率增益。结果表明，实测和模拟结果匹配相同的条件下很好。

結果 (中文) 2:

这个E类放大器器的性能是最初设计的条件下测得的科幻RST。漏极的直流电源电压为15伏; 栅极的直流偏置电压被选择为3.3伏，这仅仅是上述晶体管的导通阈值。在测量时，这种扩增fi er提供36.2 dBm的（4.17 W）输出功率，漏EF网络效率83.6％，PAE为82.6％，和19.2 dB的增益为17 dBm时的输入功率电平。的输出功率的测量和模拟的结果，漏极英法fi效率和此扩增fi er的增益作为输入功率的函数示于图。8.结果表明，该测量和模拟的结果相同的条件下很好地匹配。

結果 (中文) 3:

这类放大器的fi二是fiRST在最初设计的条件下测得的性能。漏极直流电源电压为15 V；栅极的直流偏置电压被选择为3.3 V，这正是上述晶体管的导通阈值。在测量中，该放大器的fi二提供36.2 dBm的输出功率（4.17 W），EFfi排水效率PAE为82.6%，83.6%，19。在17 dBm的输入功率电平的增益为2 dB。测量和模拟结果的输出功率，漏EFfi效率与该放大器的增益fiER作为输入功率的函数如图8所示。结果表明，测量和模拟结果与相同条件下的井。