We report on p-type conduction in N

We report on p-type conduction in N-doped ZnO
ZnO:N films that were prepared by oxidativeannealing of sputtered Zn3N2 films at temperatures between 500 and 800 °C in flowing O2 gas.

結果 (繁體中文) 1:

？製備由氧化該N薄膜：我們在N-摻雜的ZnO的ZnO在p型傳導報告
在流動的O 2氣體，在500和800℃之間的溫度濺射Zn3N2膜的退火。

結果 (繁體中文) 2:

我們報導了由氧化劑製備的N摻雜ZnO ZnO：N薄膜中的p型傳導
在流動的O2氣體中，在500至800°C的溫度下濺射的Zn3N2薄膜的退火。

結果 (繁體中文) 3:

我們報導了氧化法製備的N摻雜ZnO:N薄膜的p型導電性
濺射Zn3N2薄膜在流動氧氣中500～800℃的退火。