The metallization scheme is represe

The metallization scheme is represented in Fig. 3. Initially, Ru was deposited on top of a 0.3 nm ALD TiN adhesion layer into (sub-)10 nm wide trenches in SiO2. This was followed by a TaN/Ta (TNT) barrier and a Cu overfill. The structures were the planarized by CMP. In this way, narrow structures wereentirely filled by Ru whereas larger structures were filled by a Ru/Cu combination.

結果 (繁體中文) 1:

金屬化方案表示在圖3最初，釕沉積在0.3nm的ALD的TiN粘結層的頂部到在SiO 2中的（子）10nm寬溝槽。其次氮化鉭/鉭（TNT）屏障和Cu過滿。對結構進行的通過CMP平坦化。以這種方式，窄結構進行了
完全由釕填充而較大的結構通過使用Ru / Cu的組合填充。

結果 (繁體中文) 2:

在圖 3 中表示了美化方案。最初，Ru 被沉積在 SiO2 中 0.3 nm ALD TiN 粘附層的頂部（低於）10 nm 寬的溝槽中。隨後是 TaN/Ta （TNT） 屏障和 Cu 過填。這些結構是由《CMP》規劃的。這樣，狹窄的結構
完全由魯填充，而較大的結構由魯/庫組合填充。

結果 (繁體中文) 3:

金屬化方案如圖3所示。最初，Ru沉積在0.3nm ALD-TiN粘附層的頂部，形成（亞）10nm寬的SiO2溝槽。隨後是TaN/Ta（TNT）屏障和銅溢流。結構經化學機械拋光（CMP）平面化。這樣，狹窄的結構
完全由Ru填充，而較大的結構由Ru/Cu組合填充。