本專題的發想是起源於EEPROM和Flash memory需要用到特定

本專題的發想是起源於EEPROM和Flash memory需要用到特定電壓來抹除晶片上的資訊，因此如果電壓不夠時就必須提升到特定電壓來滿足晶片運作所需的電源與其消除資料時的電壓值。首先將輸入電壓用Charge Pump電路把電壓提升至20V，再依消除需要的特定電壓利用電晶體串聯進行分壓，分壓至9~15V之間，讓晶片可以執行消除資料的動作。最後使用帶差電路來穩定電路電壓，讓輸出的電壓不會受溫度變化的影響而改變。使整個晶片可以正常寫入、消除、讀取，完成預定好的功能。

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