Synthesis of Co 3 O 4 /Co 3 V 2 O 8

Synthesis of Co 3 O 4 /Co 3 V 2 O 8 /Ni nanocomposites. The Ni foam substrate covered by Co 3 O 4 nanowires was then used as the “sub- strate”to guide the growth of Co 3 V 2 O 8 nanowires in the hy- drothermal reaction. Next step was to dissolve 1.6 g Na 3 VO 4 ·12H 2 O and 1.55 g CoCl 2 ·6H 2 O in 160 mL deionized water, then took the homogeneous solution into a 200 mL Teflon-lined stainless steel autoclave with insertion of the obtained Co 3 O 4 /Ni samples at 150 °C for 6 h growth. The formation mechanism of Co 3 V 2 O 8 was: 2Na 3 VO 4 +3CoCl 2 → Co 3 V 2 O 8 +6NaCl. After that, the sam- ples were dried at 200 °C for 12 h under vacuum to obtain the Co 3 O 4 /Co 3 V 2 O 8 /Ni nanocomposites.

結果 (繁體中文) 1:

的Co 3 O 4 /的Co 3 V 2 O 8 /鎳納米複合材料的合成。然後，通過的Co 3 O 4納米線覆蓋的鎳泡沫基板作為“基材”，引導的Co 3 V 2 O 8納米線的生長在HY- drothermal反應。下一步是將溶解1.6克的Na 3 VO 4·12H 2 O和1.55克氯化鈷·在160毫升去離子水6H 2 O，然後把該均勻溶液到200mL特氟隆襯裡的不銹鋼高壓釜中與所獲得的插入Co 3 O 4 /鎳樣品在150℃下6小時的生長。的Co 3 V 2 O 8的形成機理是：2Na的3 VO 4 + 3CoCl 2→CO 3 V 2 O 8 + 6NaCl。在此之後，SAM-普萊斯在200℃下乾燥12小時真空下，得到的Co 3 O 4 /的Co 3 V 2 O 8 /鎳納米複合材料。

結果 (繁體中文) 2:

合成Co 3 O 4 /Co 3 V 2 O 8 /Ni 納米複合材料。Co 3 O 4 納米線覆蓋的 Ni 泡沫基板隨後用作"子比例"，以指導 Co 3 V 2 O 8 納米線在熱電熱反應中的生長。下一步是在 160 mL 去離子水中溶解 1.6 g Na 3 VO 4 +12H 2 O 和 1.55 g CoCl 2 +6H 2 O，然後將均質溶液放入 200 mL 鐵氟龍襯裡不銹鋼高壓滅菌器中，在 150 °C 下插入獲得的 Co 3 O 4 /Ni 樣品，用於6 小時增長。Co 3 V 2 O 8 的形成機制是：2Na 3 VO 4 +3CoCl 2 + Co 3 V 2 O 8 +6NaCl。之後，在200°C下真空乾燥12小時，獲得Co 3 O 4/Co 3 2 O 8/Ni納米複合材料。

結果 (繁體中文) 3:

co3o4/co3v2o8/ni納米複合材料的合成。以co3o4納米線覆蓋的泡沫鎳基片為“襯底”，在氫熱反應中指導co3v2o8納米線的生長。下一步是將1.6g Na3VO4·12H2O和1.55g CoCl2·6H2O溶解在160ml去離子水中，然後將均勻溶液放入200ml內襯聚四氟乙烯的不銹鋼高壓釜中，將獲得的Co3O4/Ni樣品插入150℃下生長6h。co3v2o8的形成機理為：2na3vo4+3cocl2→co3v2o8+6nacl。然後將樣品在200℃真空乾燥12h，製備出co3o4/co3v2o8/ni納米複合材料。