Here, we have designed, fabricated

Here, we have designed, fabricated and characterized solutiongated graphene FETs based on using high-quality single layer graphene, for highly sensitive and selective K+ detection. The enhanced specificity ofits responseto thetargetsequencewasenabled viacoating ofthe graphene surface with G-quadruplex, which is a G-rich DNA molecule with strong binding affinity to K+. FETs based on graphene without O2 plasma pre-processing achieved a LOD of 0.74pM and a linear dynamic range of up to 1μM. Interestingly, after an optimized 10-s plasma pretreatmentstep,alowerLODbelow0.058pMcanbeachieved,which

結果 (繁體中文) 1:

在這裡，我們已經設計，製備並表徵solutiongated基於使用高品質的單層石墨烯，用於高靈敏度和選擇性K +檢測石墨烯的FET。增強SPECI音響城市ofits responseto thetargetsequencewasenabled viacoating石墨烯國稅發與G-四鏈體，其是具有較強的結合FFI無窮大到K +富含G的DNA分子的表面。基於沒有O2等離子體預處理的石墨烯的FET實現0.74pM的LOD和高達1μM的線性動態範圍。有趣的是，最優化的10秒等離子體pretreatmentstep後，alowerLODbelow0.058pMcanbeachieved，這

結果 (繁體中文) 2:

在這裡，我們設計、製造和描述基於使用高品質單層石墨烯的解式石墨烯 FET，用於高靈敏度和選擇性 K+ 檢測。其對目標序列的回應的增強特異性是通過用G-四重石石墨烯表面塗覆實現的，G-quadrx是一種富含G的DNA分子，與K+具有很強的結合親和力。基於無O2等離子體預處理的石墨烯的FET實現了0.74pM的LOD和高達1μM的線性動態範圍。有趣的是，經過優化的10s等離子體預處理步驟，低低LOD低於0.058pMcanbebe，這

結果 (繁體中文) 3:

在這裡，我們設計、製備並表徵了基於高品質單層石墨烯的溶質門控石墨烯場效應電晶體，用於高靈敏度和選擇性的K+檢測。石墨烯表面的G-四鏈體是一種富含G的DNA分子，與K+有很强的結合能力，它對靶向猝滅效應的響應增强。基於石墨烯的無O2电浆預處理場效應電晶體的LOD為0.74pM，線性動態範圍可達1μM。有趣的是，經過優化的10s电浆預處理步驟，可以得到Alowerlodow0.058pm的場效應電晶體