In the last years, several high con

In the last years, several high conversion eciencies have beenreported7,8. There are mainly two technologies responsible forthis progress: first, the passivated contact technology includingheterojunctions (HJ); and second, the interdigitated back contact(IBC) technology. The HJ technology using an amorphous Si (a-Si)layer to passivate the crystalline Si (c-Si) surface was first reported bySanyo (now Panasonic) and following work was reported in 20009.The very origin of the IBC design was first suggested in 197710 andan ecient solar cell was reported in 198411.

結果 (繁體中文) 1:

在過去的幾年中，一些高轉換è？ciencies已經
reported7,8。有主要負責兩項技術
這一進步：第一，鈍化接觸技術，包括
異質結（HJ）; 和第二，叉指背接觸
（IBC）技術。使用非晶Si（α-Si）的所述HJ技術
層以鈍化結晶Si（C-Si）的表面首先通過報導
三洋（現在松下）和以下的工作報導在20009.
該IBC設計的非常起源是第一建議在197710和
電子？cient太陽能電池報導的198411。

結果 (繁體中文) 2:

在過去幾年中，一些高轉換緊急情況
報告7，8。主要有兩種技術負責
這一進展：首先，鈍化接觸技術包括
異質結（HJ）;第二，間向的背面接觸
（IBC） 技術。使用無定形 Si （a-Si） 的 HJ 技術
層通過結晶Si（c-Si）表面首先報告
三洋（現為松下）和以下工作報告在20009年。
IBC 設計的起源最早于 1977 年提出1010 年，
198411年，一個科學太陽能電池被報導。

結果 (繁體中文) 3:

在過去的幾年裏，一些高轉化率的科學
報告7,8。主要有兩種科技
這一進展：首先，鈍化接觸科技包括
異質結（HJ）；第二，交指背接觸
（IBC）科技。非晶矽（a-Si）的HJ科技
首次報導了晶矽（c-Si）表面鈍化層
三洋（現在的松下）和以下工作報告於2000年。
IBC設計的起源最初是在197710年提出的
1981年報導了一種新型的太陽能電池。