investigations can be completed in

investigations can be completed in the same area of the same sample [17]. MICHAEL and GIANNUZZI [17] reported a series of image pairs of Si obtained with an electron beam at 20, 10 and 5 kV at the same area finally milled with 30 kV Ga+, 5 kV Ga+ and 2 kV Ga+ (Fig. 5). The results show that the improvement in the indexing rate and pattern quality by low voltage ion milling is obvious at all SEM operating voltages. This work suggests that ion milling should be done at a low voltage and low current in order to obtain nice EBSD patterns. An example of nice orientation map of GW 103 Mg alloy polished by Hitachi IM-3000 is shown in Fig. 6. The image quality seems a little better than that of Mg alloys with successful electropolishing as shown in Fig. 3. The polishing parameters of voltage, gas flow and polishing time are 3 kV, 0.08 cm3/min and 30 min, respectively. It is recommended to tilt the sample 80° and to rotate 360° during polishing. Preparing multiple samples at the same time is also possible when setting an eccentricity of rotation

結果 (中文) 1:

完成有关的调查，在同一地区同一样品[17]。迈克尔和giannuzzi的[17]报道了一系列斯的图像对在同一地区，最后用30千伏嘎，：5千伏ga和2千伏嘎（图5）研磨得到用电子束在20，10和5千伏。结果表明低压离子铣分度率和图案质量的改善是明显的，在所有的扫描电镜的工作电压。这项工作表明，在低电压和低电流，以获得很好的电子背散射衍射图案应做离子铣。 GW 103镁合金抛光由日立IM-3000的一个例子很好的取向地图图所示。 6。图像质量似乎一点不比成功电解镁合金见图。 3。电压，气体流量和抛光时间的抛光参数为3千伏，0.08立方厘米和30分钟，分别。建议倾斜样品80℃，并在抛光过程中以360°旋转。在同一时间准备多个样品时，也可以设置旋转的偏心

結果 (中文) 2:

调查可以在同一样品[ 17 ]同一地区完成。迈克尔和细胞[ 17 ]报道了一系列的Si与在20电子束获得的图像对，10和5伏在同一地区最后研磨与30 kV GA，GA GA 5 kV和2 kV（图5）。结果表明，在SEM的操作电压在标引率和低电压的离子铣削图形质量的改善是明显的。这项工作表明，离子铣应在低电压和低电流，以获得良好的EBSD模式。对GW 103镁合金由日立im-3000抛光好的方向图的一个例子是图6所示。图像质量似乎更好一点比成功的电解抛光的镁合金，如图3所示。电压的抛光参数，气体流量和抛光时间是3伏，0.08立方厘米/分钟和30分钟，分别。建议的倾斜的样品80°和旋转360°在抛光。同时制备多个样本，也可以设置一旋转偏心时

結果 (中文) 3:

可以在同一地区的同一样本 [17] 完成调查工作。迈克尔和 GIANNUZZI [17] 报告了一系列的图像对 Si 获得与在同一地区 20、 10 和 5 千伏的电子束的最后铣削 30 千伏 Ga，5 千伏 Ga 和 2 kV Ga (图 5)。结果显示由低电压离子铣削的索引率和图案质量改善是明显，在所有扫描电镜工作电压。这项工作表明离子铣削，应该在低电压和低电流以获得很好的电子背散射衍射图案。GW 103 镁合金抛光由日立 IM-3000 的好方向图的示例如图 6 所示。图像的质量似乎比好一点的镁合金与成功电抛光如图 3 所示。抛光的电压，气体流量，抛光的时间参数是 3 千伏、 0.08 cm3/min 和 30 min，分别。它建议倾斜 80 ° 的样本，并在抛光过程中旋转 360 °。准备多个样品在同一时间也可能是旋转的设置偏心时