The metal-oxide-semiconductor field

The metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET, is the most widely studied and understood IGFET, and is used here to describe key aspects of IGFET behaviour. The topic is introduced by a physical description of MOSFET operation, which identifies the linear and saturation operating regimes. A simple analytical model is developed from this, yielding expressions for important parameters such as threshold voltage, saturation voltage and carrier mobility. These are extensively used in TFT analysis. A more rigorous analysis is presented to explicitly include the role of substrate doping, and its effect upon saturation voltage. These descriptions are valid for the on-state regime, in which the gate bias, VG, is greater than the threshold voltage, VT. A further operating regime is described for VGVT, which is referred to as the sub-threshold regime.In this regime, the current increases exponentially with gate bias, and is characterised by the sub-threshold slope. This is another concept, and parameter, which is widely used in the analysis of TFT behaviour. Finally, the role of film thickness, in thin film devices, in modifying the standard expressions for threshold voltage and saturation voltage is presented.

結果 (繁體中文) 1:

該金屬氧化物半導體場效應晶體管，MOSFET，是最廣泛研究和理解IGFET，此處用於描述IGFET行為的關鍵方面。該主題由MOSFET操作的物理描述，其識別所述線性和飽和操作方式引入。一個簡單的分析模型從該發達，得到了重要的參數，如閾值電壓，飽和電壓和載流子遷移的表達式。這些被廣泛地在TFT分析中使用。提出了一種更嚴格的分析以明確地包括襯底摻雜的作用，並且在飽和電壓其效果。這些描述是有效的導通狀態制度，其中，所述柵極偏壓，VG，大於閾值電壓VT更大。另一種操作狀態為VGVT，其被稱為子閾值regime.In這一制度所描述的，電流的增加呈指數與柵極偏壓，且其特徵在於由亞閾值斜率。這是另一種概念和參數，其被廣泛應用於TFT行為分析。最後，膜厚度的作用，在薄膜器件，在修改用於閾值電壓和飽和電壓的標準表達式被呈現。

結果 (繁體中文) 2:

金屬氧化物半導體場效應電晶體MOSFET是研究面最廣、瞭解最廣的IGFET，用於描述IGFET行為的關鍵方面。本主題由MOSFET操作的物理描述介紹，該描述確定了線性和飽和工作機制。從中開發了一個簡單的分析模型，為閾值電壓、飽和電壓和載波移動性等重要參數生成運算式。這些在TFT分析中得到了廣泛的應用。提出了更嚴格的分析，明確包括基板摻興奮劑的作用及其對飽和電壓的影響。這些描述適用于狀態上系統，其中柵極偏置（VG）大於閾值電壓 VT。對VGVT作了進一步的運作制度說明，稱為次級閾值制度。在此機制中，電流隨門偏置呈指數級增長，其特點是次閾值斜率。這是另一個概念和參數，它被廣泛用於TFT行為分析。最後，介紹了薄膜厚度在薄膜器件中修改閾值電壓和飽和電壓標準運算式的作用。

結果 (繁體中文) 3:

金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）是研究和理解最為廣泛的IGFET，被用來描述IGFET行為的關鍵方面。本課題是通過對MOSFET工作的物理描述來介紹的，該描述識別了線性和飽和工作狀態。在此基礎上建立了一個簡單的解析模型，給出了閾值電壓、飽和電壓和載流子遷移率等重要參數的運算式。它們廣泛應用於TFT分析。對襯底摻雜的作用及其對飽和電壓的影響進行了較為嚴格的分析。這些描述對於柵極偏置VG大於閾值電壓VT的導通狀態有效。對於VGVT，進一步的工作狀態被描述為亞閾值狀態。在這個狀態下，電流隨柵極偏置呈指數增長，並且以亞閾值斜率為特徵。這是另一個概念和參數，廣泛用於分析TFT的行為。最後，討論了薄膜厚度對薄膜器件閾值電壓和飽和電壓標準運算式的修正作用。