Figure 7. (a) High resolution trans

Figure 7. (a) High resolution transmission electron microscope (TEM) image of epitaxial SrTiO 3 on silicon grown by molecular beam epitaxy. (Image courtesy of Xiaoqing Pan of the University of Michigan and Darrell Schlom at Cornell University.) SrRuO 3 can then be epitaxially grown on top of the SrTiO 3 by off-axis sputtering to serve as the templating layer for the piezoelectrics, as well as a bottom electrode. (b) Bright-field cross-sectional TEM image of an epitaxial PbMg 1/3 Nb 2/3 O 3 –PbTiO 3 (PMN-PT)/SrRuO 3 /SrTiO 3 thin-fi lm heterostructure on an Si substrate. The inset shows the selective area electron diffraction pattern of the PMN-PT layer along the [100] zone axis showing a single crystal. (c) High-resolution TEM image of PMN-PT and SrRuO 3 interface. (b) and (c) are adapted from Reference 65.

結果 (繁體中文) 1:

圖7（a）中高分辨率透射電子顯微鏡（TEM）的SrTiO外延3的上通過分子束外延生長的矽圖像。（在康奈爾大學密歇根大學的小青潘和達雷爾Schlom的圖片。）的SrRuO 3然後可以通過離軸型濺射到作為壓電體模板層被外延生長在所述的SrTiO 3的頂部，以及底部電極。（B）在Si基板上的外延PbMg 1/3 Nb的2/3 O 3 -PbTiO 3（PMN-PT）/的SrRuO 3/3的SrTiO薄音響LM異質結構明場截面TEM圖像。插圖示出了沿[100]區域中的PMN-PT層的選擇區域電子衍射圖案軸示出的單晶。（c）中PMN-PT和3的SrRuO界面的高分辨率TEM圖像。（b）和（c）是適於由參考65。

結果 (繁體中文) 2:

圖 7.（a） 在分子束外延生長的矽上外向SrTiO 3的高解析度透射電子顯微鏡（TEM）圖像。（圖片由密歇根大學潘曉青和康奈爾大學的達雷爾·施洛姆提供。然後，SrRuO 3 可以通過離軸濺射在 SrTiO 3 頂部進行分部生長，作為壓電的範本層，以及底部電極。（b） 外延PbMg 1/3 Nb 2/3 O 3 +PbTiO 3 （PMN-PT）/SrRuO 3 /SrTiO 3 薄-fi lm 異質結構的明場橫截面 TEM 圖像。內嵌顯示 PMN-PT 層沿 [100] 區域軸顯示單個晶體的選擇性區域電子衍射模式。（c） PMN-PT和SrRuO 3介面的高解析度TEM圖像。（b） 和（c） 改編自參考資料65。

結果 (繁體中文) 3:

圖7。（a）分子束外延矽表面生長SrTiO 3的高解析度透射電子顯微鏡（TEM）影像。（圖片由密歇根大學潘曉慶和康奈爾大學施洛姆提供）SrRuO 3可以通過離軸濺射在srtio3上外延生長，作為壓電體的範本層和底電極。（b）在Si襯底上外延PbMg 1/3nb 2/3o 3-pbtio3（PMN-PT）/srruo3/srtio3薄膜異質結構的亮場橫截面TEM影像。插圖顯示了PMN-PT層沿[100]帶軸的選區電子繞射圖，顯示了單晶。（c）PMN-PT和SrRuO 3介面的高解析度透射電鏡影像。（b）和（c）改編自參考文獻65。