The efficiency degradation at low dr

The efficiency degradation at low drain voltage for a class-E power amplifier designed with a MOSFET transistor has been analyzed by taking nonlinear transistor output capacitance into consideration. Theoretical analysis and numerical results have shown that the ZVS condition of a class-E amplifier, designed at a nominal drain dc supply voltage, is no longer satisfied in a polar transmitter in which the drain dc supply voltage is variable due to the amplitude modulation and the power control.
The degraded drain efficiency is mainly caused by the energy dissipated on during the OFF–ON transition instant. Furthermore, the efficiency enhancement method, found in the analysis and numerical results of the effects of duty ratio variations,are proposed by adjusting the gate dc bias voltage. The validity of the analysis and feasibility of the efficiency enhancement method are verified by an experimental LDMOS class-E power amplifier designed at 100 MHz. This amplifier manifests efficiency degradation at the low drain voltage ( 6 V); approximately 7.5% drain efficiency improvements and a 9.26-dB dynamic range extension are obtained with the gate dc bias adjustments method.

結果 (中文) 1:

考虑非线性晶体管输出电容低漏电压为 E 类功率 amplifier，采用 MOSFET 晶体管设计的工件降解进行了分析。理论分析和数值结果表明 E 类 amplifier，在名义上流失直流电源电压下，设计的零电压开关条件不再是感到极地发射机中流失直流电源电压是由于振幅调制及功率控制的变量。在即时关闭 — — 在过渡期间对耗散能量造成主要退化的流失问题。此外，发现在责任比例变化的影响的数值结果与分析的工件增强方法提出调整门直流偏置电压。分析的有效性和可行性的工件增强方法是核查由实验设计速度为 100 MHz 的 LDMOS E 类功率 amplifier。这 amplifier 体现工件退化在低漏电压 （6 V） ；大约 7.5%流失问题改进和 9.26 dB 动态范围扩展得到与门直流偏置的调整方法。

結果 (中文) 2:

在英法fi降解效率低漏电压放大器器设计的MOSFET晶体管已采取非线性晶体管输出电容考虑分析的一类-E电源。理论分析和数值结果表明，E类放大器呃在标称漏极直流电源电压设计的ZVS条件，不再是在极性发射机，其中所述漏极的直流电源电压为可变SATIS音响编由于振幅调制和功率控制。
被降职的排水EF网络效率主要是由于在OFF-ON的转变瞬间消散的能量。此外，英法fi效率的增强方法中，在分析和占空比的变化的影响的数值结果发现，提出了通过调整栅极的直流偏置电压。在英法fi效率提高方法的分析和可行性的有效性是VERI网络通过扩增fi er设计为100 MHz的实验LDMOS E类功率主编。该放大器呃体现EF网络效率降低在低漏极电压（6 V）; 约7.5％的流失英法fi效率的改善和9.26 dB的动态范围扩展名与栅极的直流偏置调整方法获得。

結果 (中文) 3:

EFfi降解效率的E类功率放大器在fi二设计一个MOSFET晶体管的低漏极电压一直以非线性晶体管输出电容考虑分析。理论分析和数值结果表明，E类放大器的fi二ZVS条件，在标称漏直流电源电压设计，不再满足fiED的极性发射器中的漏极直流电源电压是由于振幅调制和功率控制变量。
退化漏EFfi效率主要是由能量消散在了–在过渡期间造成的瞬间。此外，EFfi效率增强方法，在占空比的变化的影响的分析和数值模拟结果发现，通过调整栅极的直流偏置电压的方法。与EFfi效率增强方法可行性分析的有效性进行了验证fiED的LDMOS的E类功率放大器的实验fi二设计在100兆赫。该放大器的fi二体现EFfi效率的退化在低漏极电压（6 V）；约7.5%的漏极效率的改进和EFfi9。与栅极的直流偏置调整方法获得了26 dB的动态范围扩展。