How to Build an Ultra-Fast High-Pow

How to Build an Ultra-Fast High-Power Laser DriverThe simplest and most common laser driver is the resonant capacitive discharge driver, shown in figure 3. FET Q1 discharges C1 resonantly through the stray inductance L1 and laser DL. To overcome inductance L1 and achieve the fast current rise-time desired, C1 is charged to a relatively high voltage (usually 25 V to 150 V). FET Q1 must be able to withstand the voltage, conduct the peak current, and turn on in 1 ns or less. The eGaN FET is the only readily available, cost-effective semiconductor switch that can meet these requirements.

結果 (繁體中文) 1:

如何建立一個超高速高功率激光驅動器

的最簡單和最常用的激光驅動器是諧振電容放電驅動，在圖3中FET Q1所示共振排出C1通過雜散電感L1和激光DL。為了克服電感L1和實現所需的快速電流上升時間，C1被充電到相對高的電壓（通常為25 V至150 V）。FET Q1必須能夠承受的電壓，進行峰值電流，並在1納秒打開或更少。所述的eGaN FET是唯一容易獲得的，經濟有效的半導體開關，能滿足這些要求。

結果 (繁體中文) 2:

如何構建超快大功率鐳射磁碟機

最簡單和最常見的鐳射磁碟機是諧振電容放電磁碟機，如圖 3 所示。FET Q1 通過雜散電感 L1 和鐳射 DL 諧振釋放 C1。為了克服電感 L1 並實現所需的快速電流上升時間，C1 被充電到相對較高的電壓（通常為 25 V 到 150 V）。FET Q1 必須能夠承受電壓，傳導峰值電流，並在 1 ns 或更少時打開。eGaN FET 是唯一能夠滿足這些要求的現成、經濟高效的半導體開關。

結果 (繁體中文) 3:

如何構建超高速大功率雷射驅動器
最簡單和最常見的雷射驅動器是諧振電容放電驅動器，如圖3所示。場效應管Q1通過雜散電感L1和雷射DL共振地放電C1。為了克服電感L1並達到所需的快速電流上升時間，C1被充電到相對較高的電壓（通常為25v到150v）。場效應電晶體Q1必須能够承受電壓，傳導峰值電流，並在1ns或更短的時間內打開。eGaN場效應電晶體是唯一一個現成的，經濟有效的電晶體開關，可以滿足這些要求。