OFF-State Behavior in MFIS Structur

OFF-State Behavior in MFIS Structure: In the OFF-state of the FTJ with the MFIS structure, a depletion layer near the interface of ZrO2 and n-type polysilicon results in more significant band bending compared to the TiN bottom electrode in the MFIM structure. The higher band diagram increases the average energy barrier along the direction from the conduction band of n-type polysilicon to the TiN electrode. This higher energy barrier helps to suppress tunneling current in the OFF-state.

結果 (繁體中文) 1:

MFIS 結構中的斷態行為：在具有 MFIS 結構的 FTJ 的斷態下，與 MFIM 結構中的 TiN 底部電極相比，ZrO2 和 n 型多晶矽界面附近的耗盡層導致更顯著的能帶彎曲。高能帶圖增加了從n型多晶矽的導帶到TiN電極的方向上的平均能障。這種較高的能壘有助於抑制關斷狀態下的隧道電流。

結果 (繁體中文) 2:

MFIS結構中的OFF狀態行為：在具有MFIS結構的FTJ的OFF狀態下，與MFIM結構中的TiN底部電極相比，ZrO2和n型多晶矽介面附近的耗盡層導致更顯著的帶彎曲。 較高的能帶圖新增了沿著從n型多晶矽的導帶到TiN電極的方向的平均能壘。 這種更高的能量勢壘有助於抑制關斷狀態下的隧穿電流。

結果 (繁體中文) 3:

MFIS結構中的截止狀態行爲:在具有MFIS結構的FTJ的截止狀態中，與MFIM結構中的TiN底部電極相比，ZrO2和n型多晶矽界麵附近的耗儘層導緻更顯著的能帶彎曲。較高的能帶圖增加了沿着從n型多晶矽的導帶到TiN電極的方向的平均能壘。這種較高的能量勢壘有助於抑製截止狀態下的隧道電流。