The ME effect between ferrimagnetic

The ME effect between ferrimagnetic NFO and ferroelectric
PZT phases was demonstrated by observing the electric
field induced magnetization change. The magnetization
curve
M-H curve was monitored under different external
electric fields across the PZT substrate. Due to the inverse
piezoelectric effect, the PZT substrate experiences an inplane
strain when a certain direction electric field is applied
through thickness. This in-plane strain is anisotropic in plane
due to the beam shape
lengthwidth of the PZT slab, leading
to an anisotropic in-plane net stress in the PZT. This net
stress in PZT results in an effective net in-plane magnetic
field on the ferrite film through a stress mediated ME coupling
between the ferrite film and the PZT substrate, and,
therefore, magnetization change of the ferrite films due to the
inverse magnetoelastic effect. It is notable that the spin-spray
deposited NFO is isotropic in plane, thus, the ME coupling
induced magnetization change in the NFO/PZT is different
from what we recently observed for the FeGaB/PZT,28 in
which the FeGaB film has well-defined in-plane anisotropy.
Much stronger ME coupling is expected for the ME composites
with magnetic films with well-defined anisotropy.
The in-plane M-H curves were measured by applying
external electric field of 0 and 1.3 MV/m across the
thickness direction of PZT substrate, as shown in Fig. 4. An
obvious upward shift of M-H curve was observed at low
external magnetic field and the remnant magnetization
was increased by 10% when applying electric field of
1.3 MV/m. In addition, we found both M-H curves reached
the same saturation magnetization at high external magnetic
field, which indicated ME coupling reduced due to the saturated
magnetostriction at high applied magnetic field.

結果 (中文) 1:

我效果之间铁磁 NFO 和铁电
PZT 阶段表明通过观察电
磁场诱导磁化强度变化。磁化
M-H 曲线曲线下不同外部监测
电场跨压电陶瓷基片。由于逆
压电效应，压电陶瓷基片经验板材的平面内
应变应用某些方向电场时
通过厚度。这架飞机在应变是各向异性平面中
由于梁形状长度宽度的压电陶瓷板，领先的
对各向异性在平面净胁迫的压电陶瓷。这个网
PZT 在中结果有效净在平面磁应力
上通过应力铁氧体薄膜的字段介导我耦合
铁氧体薄膜和压电陶瓷基板，之间，
因此，铁氧体磁化更改影片由于
逆磁弹性效应。值得注意的是，旋转喷雾
沉积的 NFO 是在平面上，因此，我各向同性耦合
的 NFO PZT 诱导的磁化变化是不同
从我们最近看到的 FeGaB PZT，在 28
其中 FeGaB 膜具有定义完善的平面各向异性。
更强我耦合预计为我复合材料
与磁性薄膜具有定义完善的各向异性。
在平面 M-H 曲线被测量的应用
外部电场的 0 和 1.3 MV/跨 m
厚度方向的压电陶瓷衬底，如图 4 所示。
M-H 曲线的明显的向上转移被观察了在低
外部磁场和残磁化
增加了 10%，应用的电场时
1.3 MV/m。另外，我们发现这两个 M-H 曲线到达
在高外部磁场相同的饱和磁化强度
由于饱和减少字段，这表示我的耦合
在高外加磁场的磁致伸缩。

結果 (中文) 2:

铁磁NFO和铁电之间的ME效果
的PZT相被证明通过观察电
场感应磁化变化。磁化
曲线？MH曲线？根据不同的外部监测
整个压电基片的电场。由于逆
压电效应，在压电陶瓷基片经受一个面内
应变时，在一定方向上施加电场时
，通过厚度。此面内应变是各向异性的平面
，由于光束形状？长度？宽度？的PZT板，导致
对各向异性的面内的净应力的PZT。这个网
中的PZT应力导致的有效净面内磁
通过应力在铁素体薄膜场介导的ME耦合
的铁素体膜和压电陶瓷基片之间，并且，
因此，铁素体膜的磁化的变化，由于在
逆磁效应。值得注意的是，旋喷
敷NFO是各向同性的平面上，因此，在ME耦合
感应在NFO / PZT磁化强度的变化是不同的
从我们的FeGaB / PZT，28最近观察到在
其中FeGaB膜具有良好的定义的面内各向异性。
更强有力ME耦合有望用于ME的复合
磁性膜具有良好定义的各向异性。
在平面MH曲线通过测定施加
外部电场为0和1.3 MV /跨米
的厚度方向压电基片，如图所示。4。一个
观察到低MH曲线的明显的向上移位
外部磁场和剩余磁化
施加电场时提高了〜10％，
1.3 MV /米。此外，我们发现两者MH曲线达到
相同的饱和磁化强度高的外部磁场
场，这表明ME联接器减少了因饱和
磁致伸缩在高磁场。

結果 (中文) 3:

对我影响磁性铁电PZT相NFO和
之间是通过观察诱导磁化强度变化的电
场证明。磁化曲线
M-H曲线
是不同的外部
电领域横跨PZT基板的监视下。由于逆
压电效应，压电衬底的一个面内
经验当某个方向的应变施加电场
通过厚度。这在平面应变平面
由于梁的形状
长度宽度的PZT板是各向异性的，领先的
各向异性平面内的净应力在压电陶瓷。本网
应力在压电陶瓷结果在一个有效净面内磁
场对铁氧体薄膜通过应力介导的ME耦合
之间的铁氧体薄膜和PZT基板，和
，因此，由于
逆磁弹性效应的铁氧体薄膜的磁化强度的变化。值得注意的是，旋喷
沉积NFO是各向同性的平面，因此，我
诱导耦合在NFO / PZT磁化强度的变化是从我们最近观察到的fegab / PZT不同
，28
这fegab薄膜具有良好定义的平面各向异性。
更强的ME耦合预计为我
复合材料与明确的各向异性的磁性薄膜。
采用
外电场的0和1.3 MV /米在PZT基板的厚度方向测量
平面内的M-H曲线，如图4所示。在低
观察M-H曲线明显上移
外部磁场和剩磁
增加 10%应用
1.3 MV /米。在外加电场时，我们发现M-H曲线达到
在高磁场
场相同的饱和磁化强度，这表明我耦合减少由于在高施加的磁场饱和
磁致伸缩。