It was held at 800 0C for 2 days, a

It was held at 800 0C for 2 days, and subsequently quenched in air. Bi-layered flakes of MoTe2 were exfoliated from these single-crystals by using the ``scotch-tape" micromechanical cleavage technique, and transferred onto p-doped Si wafers covered with a 270 nm thick layer of SiO2. For making the electrical contacts 90 nm of Au was deposited onto a 4 nm layer of Ti via e-beam evaporation. Contacts were patterned using standard e-beam lithography techniques. After gold deposition, the devices were annealed at 2500 C for ~ 2 h in forming gas. This was subsequently followed by high vacuum annealing for 24 h at 1200 C. Atomic force microscopy (AFM) imaging was performed using the Asylum Research MFP-3D AFM. Electrical characterization was performed by using a combination of sourcemeter (Keithley 2612 A), Lock-In amplifier (Signal Recovery 7265) and resistance bridges (Lakeshore 370) coupled to a Physical Property Measurement System. The Raman spectra were measured in a backscattering geometry using a 488 nm laser excitation wave-length. Sub-Angström aberration corrected transmission electron microscopy was performed by using a JEM-ARM200cF microscope. EDS was performed through field- emission scanning electron microscopy (Zeiss 1540 XB).

結果 (繁體中文) 1:

它在800 0℃保持2天，隨後在空氣淬火。MoTe2的雙層薄片
通過使用``蘇格蘭膠帶“微機械切割技術從這些單結晶剝離，並
轉移到p型摻雜的Si晶片覆蓋有SiO 2的270納米厚的層。為了使電
觸點90的Au的納米沉積到的Ti通過電子束蒸發的4納米的層。聯絡，
使用標準電子束光刻技術來圖案化。金沉積之後，將器件進行退火
在2500℃在形成氣體為約2小時，這是隨後隨後在高真空退火24小時，在
1200℃用原子力顯微鏡使用庇護研究MFP-3D中進行（AFM）成像
AFM。通過使用數字源的組合（吉時利2612執行電學表徵
A），耦合到鎖定放大器（信號恢復7265）和電阻橋（湖岸370）
物理性能測量系統。拉曼光譜是在一個背向散射幾何學測量
使用488nm的激光激發波長。亞埃像差校正透射電子
顯微鏡通過使用JEM-ARM200cF顯微鏡進行。EDS通過現場進行
發射掃描電子顯微鏡（1540蔡司XB）。

結果 (繁體中文) 2:

它在800 0C下舉行了2天，隨後在空氣中淬火。MoTe2 的雙層片狀
通過使用"'scotch-tape"微機械裂解技術從這些單晶中去除，以及
轉移到p摻雜的Si晶圓上，覆蓋著270nm厚的SiO2層。用於製造電氣
接觸90nm的Au通過電子束蒸發沉積在4nm的Ti層上。連絡人是
使用標準電子束光刻技術進行圖案化。金沉積後，設備被退火
在2500攝氏度下形成氣體±2小時。隨後，高真空退火24小時
1200 C. 原子力顯微鏡 （AFM） 成像使用庇護研究 MFP-3D 進行
Afm。電氣表徵使用源計的組合（凱斯利 2612
A），鎖定放大器（信號恢復7265）和電阻橋（湖岸370）耦合到
物理屬性測量系統。拉曼光譜是在反向散射幾何中測量的
使用 488 nm 鐳射激發波長度。子安斯特勒姆差校正透射電子
顯微鏡使用JEM-ARM200cF顯微鏡進行。EDS 通過現場執行
發射掃描電子顯微鏡（蔡司1540 XB）。 ...

結果 (繁體中文) 3:

在800℃下保存2天，隨後在空氣中淬火。兩層的塵埃碎片
用“透明膠帶”顯微機械解理科技從這些單晶上剝落，以及
轉移到覆蓋有270nm厚二氧化矽層的p摻雜矽晶片上。用於製造電力
通過電子束蒸發，在4nm的Ti層上沉積了90nm的接觸金。連絡人是
使用標準電子束光刻技術製作的圖案。鍍金後，器件退火
在2500℃下形成氣體約2小時。隨後進行24小時的高真空退火
1200 C.使用庇護研究MFP-3D進行原子力顯微鏡（AFM）成像
AFM公司。電特性是通過使用一個組合的源錶（Keithley 2612）來完成的
A），鎖定放大器（訊號恢復7265）和耦合到
物性量測系統。拉曼光譜是用背散射幾何量測的
使用488nm雷射激發波長。亞安氏像差校正透射電子
用JEM-ARM200cF顯微鏡進行顯微鏡觀察。EDS是通過現場進行的-
發射掃描電子顯微鏡（蔡司1540XB）。