At such high temp Schottky defect c

At such high temp Schottky defect concentration is justslightly greater than that of electrons due to the differencebetween the conduction band and valence band effectivedensity of states

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在這樣高的溫度肖特基缺陷濃度僅 比電子的稍大由於差 的導帶和價帶之間的有效 狀態密度

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在如此高溫度肖特基缺陷濃度只是 由於差異，電子略大於電子 傳導帶和價帶有效 狀態密度

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在這樣的高溫下，肖特基缺陷的濃度 比電子稍微大一點 在導帶和價帶之間有效 狀態密度

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