For ITO-capped RRAM, the set proces

For ITO-capped RRAM, the set process can be enhanced by the oxygen concentration gradient that is provided by the oxygen vacancies in ITO; therefore, a smaller set voltage can be obtained. In contrast, the orientation of the oxygen gradient is opposite to the direction of oxygen movement during the reset process, causing a larger reset voltage.

結果 (繁體中文) 1:

對於ITO封端的RRAM，該組過程可以通過由ITO中的氧空位提供的氧濃度梯度來提高; 因此，能夠獲得更小的設定電壓。相反，氧含量梯度的取向是相反的氧氣運動的復位過程中的方向，從而導致更大的復位電壓。

結果 (繁體中文) 2:

對於 ITO 封頂 RRAM，通過 ITO 中的氧空位提供的氧濃度梯度可以增強設定的過程;因此，可以獲得更小的設定電壓。相比之下，氧梯度的方向與重定過程中的氧運動方向相反，導致重定電壓較大。

結果 (繁體中文) 3:

對於ITO封端的RRAM，ITO中的氧空位所提供的氧濃度梯度可以增强其設定過程，從而獲得較小的設定電壓。相反，在復位過程中，氧梯度的方向與氧運動的方向相反，導致較大的復位電壓。