Deposition conditions of cuprous oxide (Cu2O) thin films on glass subs的繁體中文翻譯

Deposition conditions of cuprous ox

Deposition conditions of cuprous oxide (Cu2O) thin films on glass substrates and nitrogen doping into Cu2O were studiedby using reactive radio-frequency magnetron sputtering method. The effects of defect passivation by crown-ether cyanidetreatment, which simply involves immersion in KCN solutions containing 18-crown-6 followed by rinse, were alsostudied. By the crown-ether cyanide treatment, the luminescence intensity due to the near-band-edge emission of Cu2Oat around 680 nm was enhanced, and the hole density was increased from 1016 to 1017 cm3. Finally, polycrystalline p-Cu2O/n-ZnO heterojunctions were grown for use in solar cells. Two deposition sequences were studied, ZnO depositedon Cu2O and Cu2O deposited on ZnO. It was found that the crystallographic orientation and current–voltage characteristicsof the heterojunction were significantly influenced by the deposition sequence, both being far superior for the heterojunctionwith structure Cu2O on ZnO than for the inverse structure. We successfully obtained a photoresponse for the firsttime in the deposited thin film of Cu2O/ZnO.
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結果 (繁體中文) 1: [復制]
復制成功!
研究了氧化亞銅(氧化亞銅)在玻璃基板上和氮摻雜到氧化亞銅薄膜的沉積條件<br>通過使用反應性高頻磁控管濺射法。缺陷鈍化的由冠醚氰效果<br>處理,這僅涉及浸入KCN溶液含有18-冠-6,然後漂洗,也<br>研究。由冠醚氰化物處理,發光強度由於氧化亞銅的近帶邊發射<br>在波長約680增強,並且孔密度增加1016年至1017年-1 3。最後,多晶p型<br>氧化亞銅/正的ZnO異質結中生長用於太陽能電池的用途。兩個沉積序列進行了研究,氧化鋅沉積<br>在氧化亞銅和氧化亞銅沉積對ZnO。結果發現,該晶體取向和電流-電壓特性<br>的異質結的均顯著通過沉積序列的影響,兩者都是遠優於對異質結<br>上的ZnO與結構的Cu2O比用於逆結構。我們成功地獲得了光響應用於第一<br>中的Cu 2 O / ZnO的沉積薄膜的時間。
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結果 (繁體中文) 2:[復制]
復制成功!
研究了玻璃基板上氧化銅(Cu2O)薄膜的沉積條件,以及對Cu2O的氮摻入<br>採用無功射頻磁控管濺射法。冠醚氰化物缺陷鈍化的影響<br>治療,這僅僅涉及浸泡在KCN溶液中,含有18-皇冠-6,然後沖洗,也<br>研究。通過冠醚氰化物處理,由於Cu2O的近帶邊緣發射,發光強度<br>在680nm左右得到增強,孔密度從1016增加到1017cm3。最後,多晶p-<br>Cu2O/n-ZnO 異質結子被種植用於太陽能電池。研究了兩個沉積序列,ZnO沉積<br>在 Cu2O 和 Cu2O 上沉積在 ZnO 上。結果表明,晶體方向和電流電壓特性<br>異質結顯著受沉積序列的影響,兩者對於異質結都遠優於<br>與結構Cu2O在ZnO比反結構。我們成功地獲得了第一個光回應<br>時間在Cu2O/ZnO的沉積薄膜。
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結果 (繁體中文) 3:[復制]
復制成功!
研究了氧化亞銅(Cu2O)薄膜在玻璃基片上的沉積條件及氮摻雜對Cu2O的影響<br>採用反應射頻磁控濺射法。冠醚氰化物鈍化缺陷的效果<br>處理,簡單地包括浸泡在含有18-冠-6的KCN溶液中,然後沖洗<br>研究。通過冠醚氰化物處理,Cu2O的近帶邊發光強度<br>在680nm處,孔密度由1016新增到1017cm3。最後,多晶p-<br>生長了用於太陽能電池的Cu2O/n-ZnO異質結。研究了兩種沉積順序,氧化鋅沉積<br>在氧化鋅上沉積Cu2O和Cu2O。結果表明,該資料的晶體學取向和電流-電壓特性<br>沉積順序對異質結的影響很大,兩者都遠優於異質結<br>與Cu2O的結構相比,ZnO的結構相反。我們成功地獲得了第一個<br>Cu2O/ZnO薄膜的沉積時間。<br>
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