Dependence on Pulse Amplitude: Figu

Dependence on Pulse Amplitude: Figure 3c shows the dependence of the conductance ratio on pulse amplitude (Vpulse) for both devices. At lower Vpulse amplitudes, the conductance ratios are approximately 1, as small Vpulse values cannot effectively alter the polarization direction in the ferroelectric stack, and the two resistance states are not clearly distinguished. As Vpulse increases, Pr of the ferroelectric stack becomes larger, leading to greater band bending in the Ron and Roff states. This causes the conductance ratio to gradually increase. Device-2 has a higher maximum conductance ratio (approximately 290) compared to Device-1 (approximately 90).

結果 (繁體中文) 1:

對脈衝幅度的依賴性：圖 3c 顯示了兩種裝置的電導比對脈衝幅度 (Vpulse) 的依賴性。在較低的 Vpulse 幅度下，電導比約為 1，因為小的 Vpulse 值無法有效改變鐵電堆中的極化方向，且無法清楚地區分兩種電阻狀態。隨著 Vpulse 的增加，鐵電堆的 Pr 變大，導致 Ron 和 Roff 態的能帶彎曲更大。這導致電導比逐漸增加。與 Device-1（約 90）相比，Device-2 具有更高的最大電導比（約 290）。

結果 (繁體中文) 2:

對脈衝幅度的依賴性：圖3c顯示了兩種器件的電導比對脈衝幅度（Vpulse）的依賴性。 在較低的Vpulse振幅下，電導比約為1，因為較小的Vpuls值不能有效地改變鐵電堆疊中的極化方向，並且兩種電阻狀態不能清楚地區分。 隨著Vpulse的新增，鐵電堆疊的Pr變得更大，導致Ron和Roff態中更大的帶彎曲。 這導致電導比逐漸增大。 與設備-1（大約90）相比，設備-2具有更高的最大電導比（大約290）。

結果 (繁體中文) 3:

對脈衝幅度的依賴性:圖3c顯示了兩種裝置的電導比對脈衝幅度(Vpulse)的依賴性。在較低的Vpulse振幅下，電導比大約爲1，因爲小的Vpulse值不能有效地改變鐵電疊層中的極化方向，並且兩種電阻狀態不能清楚地區分。隨着Vpulse的增加，鐵電疊層的Pr變得更大，導緻Ron和Roff狀態下更大的能帶彎曲。這導緻電導比逐漸增加。與裝置1(大約90)相比，裝置2具有更高的最大電導比(大約290)。