The band bending and energy level c

The band bending and energy level conventions are those used in Sect. 2.2, i.e. all energies and potentials in the semiconductor are measured from the intrinsic level, and are positive for levels beneath the intrinsic level (see Fig. 2.1 for further details).

結果 (繁體中文) 1:

帶彎曲和能量水平約定是那些教使用。2.2，即，在半導體所有能量和電勢從固有水平進行測定，是陽性的固有電平之下（參見圖2.1為進一步的細節）的水平。

結果 (繁體中文) 2:

帶彎曲和能量水準約定是第 2.2 節中使用的約定，即半導體中的所有能量和電位都是從固有水準測量的，對於低於固有水準的水準為正（詳情請參見圖 2.1）。

結果 (繁體中文) 3:

在Sect中使用的是帶彎曲和能級約定。2.2，也就是說，電晶體中的所有能量和電勢都是從本征能級開始量測的，並且對於本征能級以下的能級來說是正的（更多細節見圖2.1）。