A TEM cross-section of a 9.5 nm wid

A TEM cross-section of a 9.5 nm wide Ru interconnect line is shown in Fig. 4. Good filling with no apparent pinholes or seams was observed. The absence of a seam in the structure is surprising for a conformal filling method such as ALD and can be ascribed to a recrystallization process at the thermal budget of the processing route (420°C). This is consistent with the large grain size observed in the TEM cross-section along the line in Fig. 5, further confirming the absence of significant voids in the structure.

結果 (繁體中文) 1:

9.5 100nm的TEM截面寬茹互連線示於圖中觀察到4，沒有明顯的針孔或接縫良好的填充。不存在該結構中的接縫的是令人驚訝如ALD共形填充方法，例如，可以在處理路徑（420℃）的熱預算歸因於一種再結晶過程。這與沿圖5中的線的TEM橫截面觀察，進一步證實不存在在結構顯著空隙的大晶粒尺寸是一致的。

結果 (繁體中文) 2:

圖 4 顯示了 9.5 nm 寬 Ru 互連線的 TEM 橫截面。觀察無明顯針孔或接縫的良好填充。對於像形填充方法（如 ALD）而言，結構中缺少接縫是令人驚訝的，可以歸因於加工路線（420°C）的熱預算下的再結晶過程。這與圖5中圖5中TEM橫截面觀察到的大顆粒尺寸一致，進一步證實了結構中不存在明顯的空隙。

結果 (繁體中文) 3:

9.5nm寬Ru互連線的TEM橫截面如圖4所示。充填良好，無明顯針孔或縫隙。對於像ALD這樣的共形填充方法來說，結構中沒有接縫是令人驚訝的，並且可以歸因於加工路線（420°C）的熱預算下的再結晶過程。這與沿圖5所示線路在TEM橫截面上觀察到的大晶粒尺寸一致，進一步證實了結構中沒有明顯的空隙。