Our model of such charge transfer m

Our model of such charge transfer mechanism is illustrated schematically in Figure 3 a–d. For semiconductor QDs, there is a high density of hole-trap states on the QD surface due to the high surface-to-volume ratio, with exposure to the air environment.

結果 (中文) 1:

图 3 a–d 概要地说明了我们的这种电荷转移机制的模型。对于半导体油溶性量子点，有高态密度的孔陷阱 QD 表面由于高的表面积体积比，与暴露于空气环境。

結果 (中文) 2:

我们的这种电荷转移机理模型是在图3中A-D示意性地示出。半导体量子点，有由于高的表面与体积之比，以暴露在空气环境中的高密度对量子点表面的空穴陷阱态。

結果 (中文) 3:

我们这样的电荷转移机理模型说明示意图3半导体量子点–博士，有一个高密度的孔的陷阱态在量子点表面由于高表面体积比，暴露于空气环境。