Among III-VI materials, indium tell

Among III-VI materials, indium telluride (InTe) is well-known as a thermoelectric (TE) material in previous study [14,15]. It has been reported that the polycrystalline InTe possesses a high TE figure-of-merit (FOM) ZT of 0.9 and ultralow lattice thermal conductivity of ~0.3–0.4 Wm-1K− 1 at temperature of 600 K [16,17], which makes it promising for high performance TE applications. Besides, bulk InTe crystal is a semiconductor with a bandgap of 1.16 eV [18]. At high pressure, InTe crystal undergoes a phase transformation from tetragonal to cubic, which brings it to metallic state [18]. Compared with other III-VI members,such as InSe and GaSe, InTe exhibits much larger electrical conductivity, making it promising for development of photodetection devices with high sensitivity and fast response speed. Besides, the stability in air of ultrathin InTe is also superior to those of other III-VI materials, which provides it great potential for practical devices. However, the investigation of InTe in 2D scale has received much less attention compared to 2D InSe or GaSe. The electronic and optoelectronic properties of 2D InTe are not very clear up to now. Moreover, InTe was usually fabricated by Bridgman-Stockbarger method or thermal evaporation in previous studies [14,19], resulting in single crystalline bulks or films with thickness of hundreds of nanometers, which is not applicable for growing ultrathin InTe nanosheets. Up to now, the usual methods to prepare 2D materials, such as mechanical exfoliation or CVD have not been reported for synthesizing 2D InTe. The difficulty in preparation of 2D InTe greatly limits its fundamental research and development of device applications.

結果 (中文) 1:

在III-VI族材料中，碲化铟（InTe）在之前的研究中作为热电（TE）材料而广为人知[14,15]。据报道，多晶 InTe 具有 0.9 的高 TE 品质因数(FOM) ZT 和在 600 K 温度下 ~0.3–0.4 Wm-1K− 1 的超低晶格热导率[16,17]，这使得它在高性能 TE 应用中很有前景。此外，块状InTe晶体是一种带隙为1.16 eV的半导体[18]。在高压下，InTe晶体经历从四方到立方的相变，从而使其达到金属态[18]。与InSe和GaSe等其他III-VI族成员相比，InTe表现出更大的电导率，使其有望开发高灵敏度和快速响应速度的光电探测器件。此外，超薄InTe在空气中的稳定性也优于其他III-VI族材料，这为实际器件提供了巨大的潜力。然而，与二维 InSe 或 GaSe 相比，二维 InTe 的研究受到的关注要少得多。二维InTe的电子和光电特性目前还不是很清楚。此外，在以往的研究中，InTe通常通过Bridgman-Stockbarger法或热蒸发法制备[14,19]，产生厚度为数百纳米的单晶块体或薄膜，这不适用于生长超薄InTe纳米片。迄今为止，制备二维材料的常用方法，如机械剥离或CVD，尚未见报道用于合成二维InTe。二维InTe的制备难度极大地限制了其基础研究和器件应用的开发。

結果 (中文) 2:

在III-VI材料中，碲化铟（InTe）是众所周知的
热电（TE）材料[14，15]。据报道，多晶InTe具有高的TE品质因数
0.9的（FOM）ZT和约0.3–0.4的超低晶格热导率
Wm-1K−1在600 K的温度下[16,17]，这使其有望用于
高性能TE应用。此外，体InTe晶体是一种带隙为1.16eV[18]的半导体。在高压下，InTe晶体
经历从四方到立方的相变
使其处于金属状态[18]。与其他III-VI成员相比，
诸如InSe和GaSe的InTe表现出大得多的电导率，
使其有望开发具有
灵敏度高，响应速度快。此外
超薄InTe也优于其他III-VI族材料
为其提供了实用设备的巨大潜力。然而

結果 (中文) 3:

在III-VI族材料中，碲化铟(InTe)是众所周知的
先前研究中的热电(TE)材料[14，15]。reporTed已经证明多晶InTe具有高的te品质因数
(FOM) ZT为0.9，超低晶格热导率约为0.3–0.4
WM-1K 1的温度为600 K [16，17]，这使得它有望用于
高性能热电应用。此外，大块InTe晶体是带隙为1.16 eV的semiconductor[18]。在高压下，晶体内部
经历从四方到立方的相变
使其处于金属状态[18]。与其他III-VI族成员相比，
例如InSe和GaSe，InTe表现出大得多的电导率，
使其有希望发展具有以下特征的光电探测装置
灵敏度高，响应速度快。此外，在空气中的稳定性
超薄InTe也优于其它III-VI族材料
为实用设备提供了巨大的潜力。然而，与相比，二维范围内的investigation受到的关注要少得多
2D InSe或GaSe。2D因特的电子和光电特性
到目前为止还不是很清楚。此外，InTe通常是由
Bridgman-Stockbarger法或热蒸发法
研究[14，19]，产生单晶块或薄膜，具有
数百纳米的厚度，这并不适用于
生长超薄的互联网纳米片。到目前为止，通常的方法是
诸如机械剥离或CVD制备2D材料还没有
被报道合成了2D因特。准备的困难
2D因特极大地限制了它的基础研究和发展
设备应用。