Helium ion beam direct-write (HIBDW

Helium ion beam direct-write (HIBDW) is a promising alternative for sub-7-nm nodes pattern fabrication due to its advantages that include sub 0.5 nm focusing spot size, small proximity effects, and hence potentially higher resolution and better patterning fidelity

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氦離子束直寫（HIBDW）是針對子7納米節點圖案製造有前途的替代由於它的優點，其中包括子0.5nm的聚焦光點的大小，小鄰近效應，並因此潛在更高的分辨率和更好的構圖保真度

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氦離子電池直接寫入（HIBDW）是子 7 納米節點模式製造中一種有前途的替代方案，因為它具有以下 0.5 nm 聚焦點大小、小接近效應以及潛在的更高解析度和更好的圖案忠誠

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氦離子束直接寫入（HIBDW）科技具有聚焦光斑尺寸小於0.5nm、鄰近效應小、分辯率高、圖案化保真度好等優點，是一種很有前途的亞7nm節點製備方法<br>

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