Resistance Values: In the Ron state

Resistance Values: In the Ron state, Device-1 has a resistance of approximately 1.5 × 10^6 Ω, and in the Roff state, it has a resistance of about 2.2 × 10^7 Ω. For Device-2, the Ron resistance is approximately 1.2 × 10^6 Ω, and the Roff resistance is around 5.3 × 10^7 Ω. Device-2 exhibits better performance in both resistance states, consistent with the energy band analysis results.

結果 (繁體中文) 1:

電阻值：在 Ron 狀態下，Device-1 的電阻約為 1.5 × 10^6 Ω，在 Roff 狀態下，其電阻約為 2.2 × 10^7 Ω。對於 Device-2，Ron 電阻約為 1.2 × 10^6 Ω，Roff 電阻約為 5.3 × 10^7 Ω。Device-2 在兩種電阻狀態下都表現出更好的性能，與能帶分析結果一致。

結果 (繁體中文) 2:

電阻值：在Ron狀態下，Device-1的電阻約為1.5×10^6Ω，在Roff狀態下，其電阻約為2.2×10^7Ω。 對於Device-2，Ron電阻約為1.2×10^6Ω，Roff電阻約為5.3×10^7Ω。 器件-2在兩種電阻狀態下都表現出更好的效能，與能帶分析結果一致。

結果 (繁體中文) 3:

電阻值:在Ron狀態下，Device-1的電阻值約爲1.5×10^6ω，在Roff狀態下，電阻值約爲2.2×10^7ω。對於器件2，Ron電阻約爲1.2×10^6ω，Roff電阻約爲5.3×10^7ω。器件-2在兩種電阻狀態下都表現出更好的性能，這與能帶分析結果一緻。