possibility to reach the surface of

possibility to reach the surface of the as-grown first monolayer.With a suitable carrier gas flow rate, the source vapor can haveenough kinetic energy to reach the surface center of the as-grownfirst monolayer where there is an initial nucleation to trigger thegrowth of the second layer45. Therefore, the second monolayercrystals prefer to grow epitaxially and homogenously on theactivated nucleation centers of the first monolayer, finallypromoting the growth of MoS2 bilayer crystals, as shown inFig. 1b.

結果 (繁體中文) 1:

可能性達到生長狀態的第一單層的表面上。
與合適的載氣的流速，源氣可以具有
足夠的動能以達到所生長的表面中心
第一單層那裡有一個初始成核觸發
第二layer45的生長。因此，第二單層
晶體傾向於在外延和均勻生長
第一單層的活化成核中心，最後
促進的MoS 2的雙層晶體生長，如圖
1B所示。

結果 (繁體中文) 2:

有可能到達作為生長的第一單層的表面。
具有合適的載運氣體流速，源蒸汽可
足夠的動能到達生長的表面中心
第一單層，其中有一個初始成核觸發
第二層的增長45。因此，第二單層
晶體喜歡生長的表觀和同質的
第一單層的啟動成核中心，最後
促進 MoS2 雙層晶體的生長，如
圖1b.

結果 (繁體中文) 3:

到達所生長的第一單層表面的可能性。
在合適的載氣流量下，源蒸汽可以
足够的動能到達生長體的表面中心
第一單分子層，其中有一個初始成核來觸發
第二層的生長45。囙此，第二單層
晶體傾向於生長在
第一單分子層的活化成核中心
促進MoS2雙層晶體的生長，如
圖1b。