The density of states is required a

The density of states is required as the first step in determining the carrier concentrations and energy distributions of carriers within a semiconductor. Integrating the density of states function, g(E), between two energies El and E2 tells one the number of allowed states available to electrons in the cited energy range per unit volume of the crystal. In principle, the density of states could be determined from band theory calculations for a given material. Such calculations, however, would be rather involved and impractical.

結果 (繁體中文) 1:

需要狀態密度作為確定半導體體內載子濃度和載子能量分佈的第一步。對兩種能量 E1 和 E2 之間的態密度函數 g(E) 進行積分，可得知每單位體積晶體在所引用的能量範圍內電子可用的允許態數。原則上，態密度可以透過給定材料的能帶理論計算來確定。然而，這樣的計算相當複雜且不切實際。

結果 (繁體中文) 2:

態密度是確定電晶體內載流子濃度和載流子能量分佈的第一步。 對兩個能量El和E2之間的態密度函數g（E）進行積分，告訴一個人在每組織晶體體積的所述能量範圍內可用於電子的允許態的數目。 原則上，態密度可以根據給定資料的能帶理論計算來確定。 然而，這樣的計算是相當複雜和不切實際的。

結果 (繁體中文) 3:

作爲確定半導體內載流子濃度和載流子能量分佈的第一步，需要態密度。在兩個能量E1和E2之間對態密度函數g(E)進行積分，可以得出在所述能量範圍內每單位體積晶體中電子可獲得的允許態的數量。原則上，對於給定的材料，狀態密度可以通過能帶理論計算來確定。然而，這樣的計算會相當複雜和不切實際。