Among III-VI materials, indium tell

Among III-VI materials, indium telluride (InTe) is well-known as a thermoelectric (TE) material in previous study [14,15]. It has been reported that the polycrystalline InTe possesses a high TE figure-of-merit (FOM) ZT of 0.9 and ultralow lattice thermal conductivity of ~0.3–0.4 Wm-1K− 1 at temperature of 600 K [16,17], which makes it promising for high performance TE applications. Besides, bulk InTe crystal is a semiconductor with a bandgap of 1.16 eV [18]. At high pressure, InTe crystal undergoes a phase transformation from tetragonal to cubic, which brings it to metallic state [18]. Compared with other III-VI members,

結果 (中文) 1:

在III-VI族材料中，碲化铟（InTe）在之前的研究中作为热电（TE）材料而广为人知[14,15]。据报道，多晶 InTe 具有 0.9 的高 TE 品质因数(FOM) ZT 和在 600 K 温度下 ~0.3–0.4 Wm-1K− 1 的超低晶格热导率[16,17]，这使得它在高性能 TE 应用中很有前景。此外，块状InTe晶体是一种带隙为1.16 eV的半导体[18]。在高压下，InTe晶体经历从四方到立方的相变，从而使其达到金属态[18]。与其他III-VI成员相比，

結果 (中文) 2:

在III-VI材料中，碲化铟（InTe）是众所周知的
热电（TE）材料[14，15]。据报道，多晶InTe具有高的TE品质因数
0.9的（FOM）ZT和约0.3–0.4的超低晶格热导率
Wm-1K−1在600 K的温度下[16,17]，这使其有望用于
高性能TE应用。此外，体InTe晶体是一种带隙为1.16eV[18]的半导体。在高压下，InTe晶体
经历从四方到立方的相变
使其处于金属状态[18]。与其他III-VI成员相比，

結果 (中文) 3:

在III-VI族材料中，碲化铟(InTe)是众所周知的
先前研究中的热电(TE)材料[14，15]。reporTed已经证明多晶InTe具有高的te品质因数
(FOM) ZT为0.9，超低晶格热导率约为0.3–0.4
WM-1K 1的温度为600 K [16，17]，这使得它有望用于
高性能热电应用。此外，大块InTe晶体是带隙为1.16 eV的semiconductor[18]。在高压下，晶体内部
经历从四方到立方的相变
使其处于金属状态[18]。与其他III-VI族成员相比，