In contrast, R0 of the mesh-pattern

In contrast, R0 of the mesh-patterned ITO electrodes was slightly higher than that of the planar ITO electrode because of the patterning. R R /n 0 values of the square mesh, fine square mesh, and honeycomb mesh after bending 1000 times were 1.83, 1.05, and 14.7, respectively, which were lower than that of the planar ITO electrode by at least two orders of magnitude (Table 2).

結果 (繁體中文) 1:

與此相反，在網狀的圖案化的ITO電極的R0比，因為圖案化的平面ITO電極的略高。正方形網格的RR / N 0的值，細正方形網眼，彎曲1000次為1.83，1.05後蜂窩網，和14.7，分別，這是比通過量值的至少兩個數量級的平面ITO電極的低（表2）。

結果 (繁體中文) 2:

相比之下，由於圖案，網狀ITO電極的R0略高於平面ITO電極。彎曲1000次後的方網、細方網格和蜂窩網的R R /n 0值分別為1.83、1.05和14.7，這至少比平面ITO電極值低兩個數量級（表2）。

結果 (繁體中文) 3:

相比之下，網狀ITO電極的R0略高於平面ITO電極。彎曲1000次後，方形網格、細方形網格和蜂窩網格的R/n分別為1.83、1.05和14.7，比平面ITO電極的R/n值低至少兩個數量級（錶2）。